奇夢達、爾必達擬合資建廠

連于慧/台北 2008/06/12

奇夢達(Qimonda)執行長羅建華和爾必達(Elpida)社長坂本幸雄11日在日本正式簽定策略聯盟,第1步將合作開發4F2技術,未來雙方更有合資蓋廠計畫,爾必達和奇夢達聯盟體正式成形。

2008 年4月爾必達和奇夢達簽下合作意向書(MOU),對於德、日系大廠攜手,DRAM業界相當譁然,6月11日坂本幸雄和羅建華於日本正式簽下技術合作開發合約。奇夢達表示,雙方未來除合作開發40奈米世代4F2 cell技術,以及直通矽晶穿孔技術(Through Silicon Via)合作,更有合資建廠計畫,目前在爾必達日本廣島廠和奇夢達德勒斯登廠,雙方工程師已開始互相交流,密切合作研發計畫,藉由與爾必達合作,預計 4F2 cell 技術可提前1年問世,有助於強化雙方技術領先地位。
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記憶體業者指出,目前在DRAM產業4大陣營合縱聯盟態勢不斷,在爾必達插旗茂德鎩羽,日前爭取華亞科股權一事懸而未決,加上美光與南亞科合資成立亞美科技,全球市佔率可望大增,爾必達檯面上的選擇不多,因此,積極拉攏奇夢達在技術上合作,成為必行之路。

目前全球DRAM廠包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、奇夢達、爾必達、力晶、南亞科、茂德等皆有導入6F2計畫,只有海力士目前停留在8F2技術,暫未有前進至6F2技術計畫,然在4F2技術上,爾必達與奇夢達宣布攜手合作,進度暫時領先,預計在2010年於40奈米世代推出4F2 cell概念產品。

整體來看,不論是8F2、6F2或4F2技術,都是在現有DRAM製程技術增加晶圓產出量,在同1個世代製程下,6F2技術可比8F2技術增加約15%產出,而4F2又可比8F2技術增加30%產出,相較於現有製程,幾乎是不用增加任何成本,就可以透過這種設計概念,增加產出效率。

這次爾必達透過奇夢達Buried Wordline技術,加上爾必達原本堆疊式技術作基礎開發,試圖在4F2技術領先對手,再次顯示其雄心壯志。坂本幸雄表示,此舉不但加速產品發展時程,也讓爾必達持續朝全球第1目標邁進。
http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=0000094719_BL83V784MG0BHPZLT0BTE

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